《2000年材料科学与工程新进展（上）——2000年中国材料研讨会论文集》2000年

硅、硼纳米线的显微结构及生长机理研究

【摘要】：利用高分辨等电子显微分析方法,研究了硅纳米线和硼纳米线显微结构及生长机理。热沉积法生成的纳米硅线具有两种基本形态,分别从气态直接生成或从氧化硅颗粒中长出。利用磁控溅射方法,成功制备出直径在30～80nm,长为几个毫米的硼纳米线,它们具有非晶结构,也呈现两种基本形态,一种为直线形,另一种为分支结构。从显微结构特征探讨了纳米线的生长机制。

【作者单位】：中国科学院物理研究所
【分类号】：TB383

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