硅、硼纳米线的显微结构及生长机理研究
【摘要】:利用高分辨等电子显微分析方法,研究了硅纳米线和硼纳米线显微结构及生长机理。热沉积法生成的纳米硅线具有两种基本形态,分别从气态直接生成或从氧化硅颗粒中长出。利用磁控溅射方法,成功制备出直径在30~80nm,长为几个毫米的硼纳米线,它们具有非晶结构,也呈现两种基本形态,一种为直线形,另一种为分支结构。从显微结构特征探讨了纳米线的生长机制。
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