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CdS纳米团簇的空穴子带结构和激子态

李京波  夏建白  
【摘要】:正 随着对半导体纳米团簇的深入研究,人们不仅能制备高质量的CdSe团簇,也在努力提高CdS团簇的制备工艺,从而人们对CdS团簇的认识也日益加深。过去的实验表明,可以通过改变CdS团簇的尺寸而使其带隙从2.5eV变化到4.5eV,与此同时,它的辐射寿命也由几个纳秒变化到十多个皮秒。

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