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《第一届全国纳米技术与应用学术会议论文集》2000年
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半导体量子点激光器研究进展

王占国  
【摘要】:正 一、引言 1962年第一个砷化镓(GaAs)同质PN结激光器在4K实现受激辐射,开辟了半导体激光器的新时代。1963年Alferov,Kazarinov和Kroemer提出的双异质结概念,是继半导体激光器发明以来的一个重要里程碑,使GaAlAs/GaAs激光器的性能得到显著改善;半导体激光器在70年代末80年代初已有商品出售。基于电子、光子分
【作者单位】:中国科学院半导体研究所
【分类号】:TN248

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