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《2007年全国微波毫米波会议论文集(下册)》2007年
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毫米波MEMS单片集成移相器

戴永胜  张宇峰  祁高品  朱建  郁元卫  
【摘要】:本文介绍了毫米波反射型MEMS单片移相器的设计、制造和测试。实测性能与设计结果吻合较好,达到的电性能指标为:在35GHz-38GHz范围内,电压驻波比小于1.8,参考状态插损为3.5±1.0dB,相移状态插损为2.0±0.6dB,相移为180°±6°。芯片尺寸:2.6mm×2.1mm×0.2mm。

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【参考文献】
中国期刊全文数据库 前2条
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【共引文献】
中国期刊全文数据库 前10条
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