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《1999年全国微波毫米波会议论文集(上册)》1999年
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双栅场效应管预失真器研究

顾忠诚  
【摘要】:利用双栅场效应管(Dual-Gate GaAs FET)的特性,对功率放大器进行预失真,以提高功率放大器的幅度、相位线性度,使放大器在效率和线性两项主要指标都有了很大的改进。
【作者单位】:总参第六十三研究所
【分类号】:TN722.75

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