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《1993年全国微波会议论文集(下册)》1993年
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8.2~8.5GHz线性功率放器

戴春玲  
【摘要】:本文介绍X波段GaAs FET小功率放大器的设计和性能。根据GaAs FET小信号S参数,适当选择网络形式和元件初值,采用计算机最优化设计来设计功率放大器。放大器用清华大学电子工程系的TUCOM软件进行设计,采用杭州市八达微波技术器件厂BD系列GaAs FET进行三级放大,制作在聚四氟乙烯基板上。该放大器功耗低,在8.2~8.5GHz的频带内,功率增益≥20dB,P_(-1)≥23dBm,增益平坦度≤±0.5dB,在Pout=20dBm时,测得其三阶交调参数优于-25dBc,放大器已大批量地用于微波通讯机上,效果良好。
【作者单位】:杭州市八达微波技术器件厂
【分类号】:TN722.75

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