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《战略性新兴产业的培育和发展——首届云南省科协学术年会论文集》2011年
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Si表面生长Ge量子点的研究进展

刘鹏强  王茺  杨宇  
【摘要】:本文从两方面即材料本身的性质和生长过程中外界环境对Ge量子点生长的影响进行分析,回顾了近年来多种改善量子点尺寸、密度和均匀性的方法。为我们以后生长有序的Ge量子点提供了依据。
【作者单位】:云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所
【分类号】:O471.1

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【参考文献】
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1 邓宁,黄文韬,王燕,罗广礼,陈培毅,李志坚;硼预淀积对自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响[J];微纳电子技术;2002年06期
2 胡冬枝,赵登涛,蒋伟荣,施斌,顾骁骁,张翔九,蒋最敏;Si(001)斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长[J];半导体学报;2002年06期
3 周星飞,施斌,胡冬枝,樊永良,龚大卫,蒋最敏;量子点的形成对Si/Ge界面互扩散的影响[J];半导体学报;2002年07期
4 王本忠,赵方海,彭宇恒,刘式墉;用GaAs张应变层控制InP衬底上InAs三维岛的有序排列[J];半导体学报;1998年03期
5 吴军,顾书林,施毅,江宁,朱顺明,郑有炓,王牧,刘晓勇,闵乃本;生长温度对Si基Ge量子点VLP-CVD自组织生长的影响[J];高技术通讯;2000年04期
【共引文献】
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1 周志玉;周志文;李成;陈松岩;余金中;赖虹凯;;Ge/Si(100)量子点生长与形态分布的研究[J];半导体光电;2008年02期
2 杨红波,俞重远,刘玉敏,黄永箴;影响半导体量子点生长因素的分析[J];人工晶体学报;2004年06期
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1 杨杰;杨宇;;溅射自组装Ge/Si量子点的生长和演变研究[A];战略性新兴产业的培育和发展——首届云南省科协学术年会论文集[C];2011年
中国博士学位论文全文数据库 前1条
1 张磊;锗硅低维量子结构制备研究[D];浙江大学;2011年
【二级参考文献】
中国期刊全文数据库 前6条
1 周志玉;周志文;李成;陈松岩;余金中;赖虹凯;;Ge/Si(100)量子点生长与形态分布的研究[J];半导体光电;2008年02期
2 蒋伟荣,周星飞,施斌,胡冬枝,刘晓晗,蒋最敏,张翔九;Ge/Si(100)界面互扩散的喇曼光谱[J];半导体学报;2000年07期
3 周星飞,施斌,蒋伟荣,胡冬枝,樊永良,龚大卫,张翔九,蒋最敏;硼原子对Si(100)衬底上Ge量子点生长的影响[J];半导体学报;2000年08期
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5 邓书康,陈刚,高立刚,陈亮,俞帆,刘焕林,杨宇;离子束溅射制备Si/Ge多层膜的结晶研究[J];人工晶体学报;2005年02期
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【相似文献】
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6 黄庆;;量子点掺杂与人才引进[J];新知客;2008年10期
7 陈平平,Per.Poulsen,韩民,王广厚;硅团簇束流淀积的分形生长[J];原子与分子物理学报;1998年S1期
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7 徐凯宇;唐珺;;GaN量子点压电性能的分子力学模拟[A];现代数学和力学(MMM-XI):第十一届全国现代数学和力学学术会议论文集[C];2009年
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8 李亦楠;半导体量子体系中的自旋热电效应[D];渤海大学;2012年
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