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《第十二届全国磁学和磁性材料会议专辑》2005年
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Pt插层对多层膜(Pt/Co)_n/FeMn垂直交换偏置的影响

翟中海  刘洋  滕蛟  李宝河  于广华  朱逢吾  
【摘要】:采用磁控溅射方法制备了以Pt为缓冲层和保护层的具有垂直各向异性的(Pt/Co)n/FeMn多层膜。在Co/FeMn界面插入适当原子量度的Pt 层,观察到垂直交换偏置场Hex和矫顽力Hc显著增加。在n=3,FeMn层厚度为25 nm的情况下,未插入Pt层的Hex为22.3 kA·m-1,捅入 0.4 nm的Pt后增加到39.8 kA·m-1,提高了近一倍。这是因为Pt层的插入增加了,多层膜的垂直各向异性,Co的自旋在垂直界面方向的分量增加造成的。

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