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《第四届西部十二省(区)市物理学会联合学术交流会论文集》2008年
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多重杂质(Au、Ni)掺杂n型硅材料的热敏特性

董茂进  陈朝阳  范艳伟  丛秀云  
【摘要】:为了制备高B低阻的硅单晶热敏材料,采用开管涂源的方法对n型硅材料进行Au、Ni两种过渡族金属的高温掺杂。实验表明:通过多重掺杂后得到的硅单晶热敏材料,其电阻率可低至与硅片原始电阻率相近,B值保持在4500k以上.

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【参考文献】
中国期刊全文数据库 前6条
1 张建,巴维真,陈朝阳,丛秀云,陶明德,M.K.巴哈迪尔哈诺夫;高补偿硅的阻-温特性[J];电子元件与材料;2004年04期
2 张建,巴维真,陈朝阳,崔志明,蔡志军,丛秀云,陶明德,吐尔迪·吾买尔;掺锰对不同导电类型硅材料热敏特性的影响[J];电子元件与材料;2004年06期
3 刘会冲,陶明德,冯中华,蒋朝伦,李金琢;抑制浪涌电流用硅单晶热敏电阻器[J];电子元件与材料;2004年02期
4 张建,巴维真,陈朝阳,丛秀云,陶明德,M.K.巴哈迪尔哈诺夫;补偿硅的温度敏感特性[J];电子元件与材料;2004年05期
5 蔡志军,巴维真,陈朝阳,崔志明,丛秀云;Zn掺杂n型硅材料的补偿研究[J];电子元件与材料;2005年06期
6 蔡志军,巴维真,陈朝阳,崔志明,丛秀云;深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性[J];半导体学报;2005年06期
【共引文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 向少华,谢茂浓,张明高,廖伟;氧等离子体处理条件对poly-SiO_2/Si结构平带电压的影响[J];半导体光电;2002年02期
2 俞晖;晶片清洗工艺的优化选取及其影响[J];半导体技术;1993年01期
3 何德湛;C-V技术及其在半导体工艺检测上的应用[J];半导体技术;2000年03期
4 牛沈军;王建利;兰天平;;VB-GaAs晶体生长技术中掺Si浓度的控制[J];半导体技术;2006年07期
5 刘传军,赵权,刘春香,杨洪星;硅片清洗原理与方法综述[J];半导体情报;2000年02期
6 邓俊泳,冯勇建;聚酰亚胺在MEMS中的特性研究及应用[J];微纳电子技术;2003年04期
7 蔡志军,巴维真,陈朝阳,崔志明,丛秀云;深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性[J];半导体学报;2005年06期
8 张小雷,孔金丞,马庆华,吴军,杨宇,姬荣斌;Hg_(1-x)Cd_xTe外延薄膜表面对红外透射光谱的影响[J];半导体学报;2005年11期
9 王德煌,李艺;外加电场影响Al_2O_3超微晶粒近红外光透射[J];北京大学学报(自然科学版);1996年05期
10 余稳;微波对半导体器件破坏机理──一维器件模型及稳态处理[J];常德师范学院学报(社会科学版);1998年06期
中国重要会议论文全文数据库 前4条
1 董志芳;;功率MOSFET低温工作特性分析[A];第二届全国信息与电子工程学术交流会暨第十三届四川省电子学会曙光分会学术年会论文集[C];2006年
2 王云;李宝河;李长江;;基于虚拟仪器技术的真实传感器实验[A];2005年全国高校非物理类专业物理教育学术研讨会论文集[C];2005年
3 贺晓雷;吕文华;李建英;于贺军;;一种用于太阳被动跟踪的光电角偏差探测装置[A];2007'仪表,自动化及先进集成技术大会论文集(二)[C];2007年
4 李欣;王淑芬;毛京湘;赵晋云;;HgCdTe环孔p-n结光伏探测器暗电流机制[A];2007年红外探测器及其在系统中的应用学术交流会论文集[C];2007年
中国博士学位论文全文数据库 前10条
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2 田玉明;低维TiO_2有序阵列的模板法构筑、表征及光催化性能研究[D];天津大学;2006年
3 姜卫粉;一种碳纳米管/硅巢状阵列的制备与场发射、湿敏性能研究[D];郑州大学;2007年
4 刘维峰;ZnO:Al透明导电薄膜和ZnO发光器件的制备及特性研究[D];大连理工大学;2007年
5 汪晓芹;CdZnTe晶片表面化学处理及欧姆接触特性的研究[D];西北工业大学;2006年
6 查钢强;CdZnTe单晶表面、界面及位错的研究[D];西北工业大学;2007年
7 石建稳;纳米TiO_2光催化剂掺杂改性与负载的研究[D];中国石油大学;2007年
8 张歆东;基于聚合物液晶材料的可变光衰减器的研究[D];吉林大学;2007年
9 朱会丽;分离吸收层与倍增层结构的低压4H-SiC雪崩光电探测器及其p型欧姆接触的研究[D];厦门大学;2007年
10 陈厦平;p-i-n结构4H-SiC紫外光电二极管单管及一维阵列的研制[D];厦门大学;2007年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 李恒;硅中注氦诱生微孔对金吸除作用的研究[D];四川大学;2003年
2 查超麟;快速热扩散炉及快速扩散的研究[D];云南师范大学;2003年
3 倪新建;自旋阀巨磁阻(GMR)芯片角度传感特性的研究[D];华南师范大学;2004年
4 吴荣;水热合成pyrite及光电性能分析[D];新疆大学;2004年
5 赵军平;基于MOSFET的高重复频率固体开关技术研究[D];中国工程物理研究院;2004年
6 孙振翠;硅基扩镓溅射Ga_2O_3反应自组装和热壁化学气相沉积制备GaN薄膜的研究[D];山东师范大学;2004年
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8 王晓强;BiTe基热电模块脉冲方波驱动下的性效研究[D];西安电子科技大学;2005年
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10 常欣;基于光子晶体纳米结构材料的制备与研究[D];南京航空航天大学;2005年
【二级参考文献】
中国期刊全文数据库 前7条
1 陈后胜,曹湘君;抑制浪涌电流用NTCR热敏电阻器的失效模型[J];电子元件与材料;2001年02期
2 刘会冲,陶明德,冯中华,蒋朝伦,李金琢;抑制浪涌电流用硅单晶热敏电阻器[J];电子元件与材料;2004年02期
3 张建,巴维真,陈朝阳,丛秀云,陶明德,M.K.巴哈迪尔哈诺夫;高补偿硅的光敏感特性[J];电子元件与材料;2004年03期
4 张建,巴维真,陈朝阳,丛秀云,陶明德,M.K.巴哈迪尔哈诺夫;高补偿硅的阻-温特性[J];电子元件与材料;2004年04期
5 张建,巴维真,陈朝阳,丛秀云,陶明德,M.K.巴哈迪尔哈诺夫;补偿硅的温度敏感特性[J];电子元件与材料;2004年05期
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7 翟继卫,杨文,沈波,康健,陶明德;相界势垒对高B值高电导率NTC热敏材料电特性的影响[J];功能材料;1997年02期
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 周凤林;;应用势垒电容研究半导体中深能级杂质[J];南京邮电大学学报(自然科学版);1982年01期
2 林和,汤定元;用交流热激电流研究窄禁带Hg_(1-x)Cd_xTe的深能级[J];红外与毫米波学报;1988年04期
3 万贤军,石顺祥;深能级杂质碰撞电离在非线性光导开关中的作用研究[J];西安电子科技大学学报;1998年03期
4 秦国刚,晏懋洵;集成电路中的物理问题讲座第四讲 半导体中深能级杂质缺陷与深能级瞬态谱[J];物理;1985年07期
5 石顺祥,万贤军;光导开关中深能级杂质对输出脉冲影响的研究[J];光子学报;1997年10期
6 戴慧莹;向珊;施卫;;光电导开关非线性模式下光电延迟现象分析[J];半导体光电;2010年05期
7 陈福荫;利用X_α—重叠球方法研究半导体的局域电子结构——Ⅲ.硅中的某些深能级杂质[J];固体电子学研究与进展;1984年02期
8 周凤林;;半导体中深能级杂质的理论(综述)[J];南京邮电大学学报(自然科学版);1984年02期
9 李成基;邓兆扬;李韫言;;扫描深能级瞬态谱技术(SDLTS)[J];电子显微学报;1990年03期
10 蔡志军,巴维真,陈朝阳,崔志明,丛秀云;Zn掺杂n型硅材料的补偿研究[J];电子元件与材料;2005年06期
中国重要会议论文全文数据库 前2条
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2 张忠文;刘祖明;李杰慧;李景天;廖华;彭银生;;铝浆特性及烧结工艺条件对晶体硅太阳电池背场的影响[A];21世纪太阳能新技术——2003年中国太阳能学会学术年会论文集[C];2003年
中国博士学位论文全文数据库 前1条
1 赵保星;晶硅太阳电池TiO_2陷光薄膜[D];中南大学;2012年
中国硕士学位论文全文数据库 前2条
1 邓彤;利用DLTS技术研究黑硅的钝化和表面态[D];大连理工大学;2013年
2 杨超;单晶硅太阳电池扩散工艺、背面刻蚀及铝背场工艺的研究[D];南京航空航天大学;2011年
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