《内耗与超声衰减——第四次全国固体内耗与超声衰减学术会议论文集》1994年

Hg-系超导体中与载流子有关的内耗研究

【摘要】：Hg-系超导体中的内耗研究表明,在 Tc 以上有一个内耗平台(Q_P~(-1))并且在 Tc 以下明显地下降。通过与 Bi-,Tl-系中结果比较,我们认为(Q_P~(-1))与载流子有关,Tc 以下内耗的减小与超导凝聚有关。利用 Huang 提出的公式,计算出了超导能隙和载流子的寿命因子Г。

【作者单位】：南京大学固体微结构物理国家重点实验室、固体物理研究所和微结构科学技术高等研究中心南京大学固体微结构物理国家重点实验室、固体物理研究所和微结构科学技术高等研究中心南京大学固体微结构物理国家重点实验室、固体物理研究所和微结构科学技术高等研究中心南京大学固体微结构物理国家重点实验室、固体物理研究所和微结构科学技术高等研究中心南京大学固体微结构物理国家重点实验室、固体物理研究所和微结构科学技术高等研究中心南京大学固体微结构物理国家重点实验室、固体物理研究所和微结构科学技术高等研究中心南京大学固体微结构物理国家重点实验室、固体物理研究所和微结构科学技术高等研究中心
【基金】：克立奖研金资助项目
【分类号】：O511

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