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《第十届全国相图学术会议论文集》2000年
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Nb-Ti-Si三元系相变及相关系

王日初  刘立斌  王冲  金展鹏  
【摘要】:用三元扩散偶技术测定Nb-Ti-Si三元系1473K和1373K下的等温截面。用电子探针微区成分分析的方法研究了扩散偶中的扩散层;发现在实验温度下Nb-Ti-Si三元系不形成三元化合物。讨论了由1473K至1373K Nb-Ti-Si三元系所发生的相变。
【作者单位】:中南大学材料科学与工程系
【分类号】:TG132.32

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