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《2008通信理论与技术新进展——第十三届全国青年通信学术会议论文集(上)》2008年
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P阱硅栅CMOS倒相器输出电路版图设计

杨虹  王杰敏  吕坤颐  侯华敏  
【摘要】:从集成电路制造工艺的角度,研究了P阱硅栅CMOS倒相器电路及其结构,以及在版图设计和工艺制造中的优化措施。推导了CMOS晶体管的沟道宽长比的简便计算方法,设计了一种与标准CMOS工艺兼容的倒相器输出电路,采用hhnec 0.25 (m CMOS工艺实现。

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