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《第三十一届中国(天津)2017’IT、网络、信息技术、电子、仪器仪表创新学术会议论文集》2017年
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EMMI/OBIRCH在大规模集成电路芯片失效分析中的应用

崔嘉  张冠杰  
【摘要】:电性失效分析技术在集成电路芯片制造、良率提升与维持量产工艺稳定中扮演着举足轻重的作用。本文介绍了光子辐射显微技术(E删I)和光致阻变技术(0BIRCH)在电性测试和芯片故障定位中的原理与应用,并结合失效分析实例研究了典型方法对于芯片不同缺陷模式的适用性。
【作者单位】:中芯国际集成电路制造(天津)有限公司
【分类号】:TN40
【正文快照】:
l引言随着集成电路设计线宽向深亚微米发展,器件尺寸逐步缩小,横向和纵向的电路结构更为复杂,影响芯片良率的失效模式更加多样化和复杂化,对芯片失效分析的成功率和准确率也提出了更高的要求。电性失效分析(Electrical Failure Analysis)包含电性测试和故障定位技术,是物理失

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