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《第九届全国化学工艺学术年会论文集》2005年
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以阳离子双子表面活性剂C_(12-2-12)为模板合成纯硅立方介孔材料

许军  武玉民  韩书华  王仁亮  于小娟  
【摘要】:用Gemini表面活性剂[C12 H2 5N+ (CH3) 2 - (CH2 ) 2 -N+ (CH3) 2 C12 H2 5]·2Br- 做模板合成了立方结构的介孔二氧化硅,并且用小角X射线衍射和氮气吸附-脱附技术对样品进行了表征。结果表明:所得到的介孔二氧化硅为立方结构,晶胞参数在8 4 7~8 5 7nm之间。孔道的有序性随表面活性剂与Na2 SiO3比例的增大而增加。氮气吸附-脱附等温线为第IV类型的等温线,在相对压力P/P0 =0 15~0 2 5和P/P0 =0 8~1的范围内出现两个H1型滞后环,分别是由介孔孔道和颗粒之间的空穴引起的。BET表面积也随表面活性剂与Na2SiO3比例的增大而增大,最大可达110 0m2 /g。最可几孔径在2 2 0nm左右。

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