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直流磁控溅射制备氧化钒薄膜

杨旭  蔡长龙  周顺  刘欢  
【摘要】:氧化钒薄膜及其在微电子和光电子领域中的应用已成为国际上新颖功能材料研究热点之一。因氧化钒薄膜具有高的电阻温度系数(TCR)值,其阻值随入射辐射引起的温升有非常灵敏的改变,微测辐射热计正是利用了这一特性,因此氧化钒薄膜在红外探测和红外成像方面具有广泛的应用前景。因此,优化工艺参数制备出高性能的氧化钒薄膜是亟待解决的课题。本论文在低温下以高纯金属钒作靶材,用直流磁控溅射的方法制备出了氧化钒薄膜。通过设计正交试验,系统分析了氩气和氧气的流量比,溅射功率,工作压强,基底温度对氧化钒薄膜TCR的影响,获得了这四个因素对TCR值普遍趋势。实验结果表明:当Ar与O_2的比例为100∶4,功率为120W,工作压强为2Pa时,所获得薄膜TCR值普遍较大。

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