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《1996年中国青年学者物理学讨论会——薄膜材料与物理论文集》1996年
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多离子束反应溅射室温沉积PbTiO_3薄膜的结晶性能

朱建国  彭文斌  张文  陈猛  肖定全  兰发华  
【摘要】:为了将铁电薄膜与半导体器件集成,发展了新的铁电薄膜制备技术。快速退火(RTP)由于可以降低铁电薄膜的制备温度、改善铁电薄膜与半导体器件兼容性质,因而倍受人们的关注。用多离子束反应共溅射装置在室温下制备了 PbTiO_3薄膜,样品经 RTP 装置作退火处理,发现 PbTiO_3薄膜可以在多晶或非晶层上生长,经 RTP 处理的 PbTiO_3薄膜呈现[110]和[100]择优取向。

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