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《第七次全国电子显微学会议论文摘要集》1993年
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MeV级高能Si离子注入GaAs的HVEM研究

孙贵如  李国辉  姬成周  张燕文  
【摘要】:正 研究MeV级高能n型离子注入GaAs技术,以期制备出平面结构的深埋层,从而,提高用光刻工艺制备FET和阻挡层的成品率。这在制备单片微波集成电路和光电器件方面很有意义。由于MeV级离子携带能量高

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