SIMOX上外延层的TEM研究
【摘要】：正 氧注入隔离(SIMOX:Separation by IMplanted OXygen)是绝缘层上形成单晶硅(SOI:Silicon onInsulator)结构的最有前途的技术。制备工艺简单,可获得绝缘层上高质量的单晶硅膜。由于SIMOX衬底与体材料硅相比有许多潜在的优点,如有较高的开关速度、较强的抗辐照能力和避免闭锁效应等,正受到人们越来越多的关注。SIMOX衬底上分子束外延生长GaAs或Si/Ge_(0.5)Si_(0.5)应变层超晶格薄膜,具有异质外延材料和SIMOX的全部优点。可把GaAs光电器件和硅集成电路集成在一块芯片上。SIMOX中氧化物埋层由氧离子注入单晶硅形成,注入能量为200kev,剂量为1.8×10~_(18)/cm~2。注入后试样在1300C干氮气氛中退火6小时,然后在SIMOX
|
|
|
|
| 1 |
唐元洪;裴立宅;;硅纳米管的理论及制备研究进展[J];材料导报;2009年23期 |
| 2 |
柳襄怀,林成鲁,陈朝荣,李天胜,赵克萱,徐惠定,段大娟,吴恒显;溅射沉积无定形硅薄膜的激光外延研究[J];自然杂志;1980年11期 |
| 3 |
周亮,姚英学,SHAHJADA A P;纳米压痕硬度尺寸效应的残余面积最大压深模型[J];硅酸盐学报;2005年07期 |
| 4 |
李德刚;梁迎春;白清顺;;单晶硅各向异性力学性能纳米压痕实验研究[J];航空精密制造技术;2008年02期 |
| 5 |
李卓谡;赵玉洁;贾晓娜;;单晶硅与单晶铜的微摩擦性能比较[J];机械管理开发;2008年02期 |
| 6 |
孟庆森;秦会峰;宋永刚;;功能陶瓷(玻璃)与金属材料阳极键合的机理研究及应用进展[J];功能材料信息;2005年04期 |
| 7 |
周亮;姚英学;刘琦;;基于能量平衡方法的压痕尺寸效应分析[J];硅酸盐学报;2007年11期 |
| 8 |
朱鹏;幸研;易红;;基于原子模型的各向异性腐蚀模拟方法对比分析[J];传感技术学报;2007年12期 |
| 9 |
郝兰众,李燕,邓宏,刘云杰,姬洪,张鹰;LaAlO_3/BaTiO_3超晶格薄膜的生长及结构分析[J];功能材料;2005年03期 |
| 10 |
贾有权,Yuri.A.Rodionov,王银燕;单晶硅力学性质探索[J];天津大学学报;1987年02期 |
| 11 |
陈小群;;无ECP附件在X-650扫描电镜上实现电子通道花样的技术[J];中南大学学报(自然科学版);1993年01期 |
| 12 |
;专利信息[J];稀有金属快报;2006年04期 |
| 13 |
穆武第;程海峰;陈朝辉;唐耿平;吴志桥;;粗糙界面对Bi_2Te_3/PbTe超晶格热电优值影响的理论分析[J];物理学报;2009年02期 |
| 14 |
胡瀚;陈敏华;陈云飞;;基于分子动力学的超晶格薄膜的导热系数影响因素分析[J];传感技术学报;2006年05期 |
| 15 |
谭援强;杨冬民;李才;盛勇;;单晶硅加工裂纹的离散元仿真研究[J];中国机械工程;2008年21期 |
| 16 |
吉元;王丽;张隐奇;卫斌;索红莉;王建宏;程艳玲;;纳米异质外延层与衬底的晶体取向匹配的电子背散射衍射分析[J];电子显微学报;2010年04期 |
| 17 |
周健伟;尚德广;刘小冬;柳会;;单晶硅微薄膜V形缺口疲劳特性研究[J];机械强度;2010年05期 |
| 18 |
李宁,宋绪丁;超硬多层薄膜的研究现状及展望[J];材料保护;2005年07期 |
| 19 |
郝兰众;李燕;邓宏;刘云杰;姬洪;;LaAlO_3/BaTiO_3超晶格薄膜界面结构分析[J];材料导报;2005年02期 |
| 20 |
刘云杰;郝兰众;李燕;邓宏;;LaAlO_3顶层结构对LaAlO_3-BaTiO_3铁电超晶格薄膜性能的影响[J];材料导报;2007年04期 |
|
手机打开
快捷付款方式
订购知网充值卡
订购热线
帮助中心