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《第三次中国电子显微学会议论文摘要集(二)》1983年
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结合CBED和HREM在材料科学中的应用

杨翠英  周玉清  冯国光  
【摘要】:正 结合CBED和HREM是测定材料结构的有效方法。我们用此方法在philips EM—400T电镜中研究了包括SiC和Li_2O·14Nb_2O_5(LN_(14))等密排层结构材料和复杂氧化物的结构。SiC是一典型的密排层结构材料。密排层堆垛方式繁多,构成多型体有一百五十多种,它们所属的空间群有下列八个:P3ml,P3ml,P6m2,P6_3mc,P6_3/mmc,R3ml,R3ml,F43m。用一个垂直于密排面的CBED带轴图(ZAP)便可以区分这八个空间群。图1是SiC晶粒的[0001]CBED ZAP,图中给出明场对称性是6mm,全图对称性是6mm。上述八个空间群中,对应这样对称性的只有P6_3mc和P6_3/mmc两个,从而排除了其余六个的可能性。空间群P6_3mc和P6_3/mmc的差别仅在于它们的暗场不同,P6_3mc的暗场对称性是m,而P6_3/mmc的是2mm。
【作者单位】:中国科学院物理所 中国科学院物理所 中国科学院物理所
【分类号】:TG115.213

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