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《上海制冷学会一九八九年年会论文集》1989年
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P型PbSe单晶的低温电阻率

殷之义  顾锦模  曹令娴  滕志义  吴汶海  
【摘要】:正一、引言铅系化合物半导体PbS、PbSe、PbTe具有一些有别于通常半导体(如Ge、Si)的性质。例如这类半导体呈现正温度系数窄禁带的特点。它们是红外敏感材料,所以在红外技术领域里,作为红外辐射的产生与检测材料已得到了广泛的应用。同时,这类材料常常处在低温下工作,因此研究它们的低温特性尤为必要。本文报道了P型PbSe单晶材料的制备方法,测量了材料的电阻率p与温度T的关系,并作了简单讨论。

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