TSV铜互连甲基磺酸铜电镀液中C1-的作用

【摘要】：TSV叠层式电子封装是今后三维封装重点发展的一种封装技术,其关键技术之一是TSV硅孔镀铜填充技术。本研究针对TSV硅孔镀铜用甲基磺酸铜高速镀液中Cl~-的作用及机理展开了系统研究。利用旋转圆盘电极研究了不同扩散条件下Cl~-的作用效果,并采用阻抗谱和电子顺磁共振(EPR)探讨了Cl~-在电化学沉积中的影响机制和对Cu~+配位场的影响。研究结果表明:在深孔内扩散控制条件下,Cl~-对铜沉积有明显的加速作用,而在表面非扩散控制区域,尤其是高电流区域,Cl~-具有一定的抑制效果。因此,Cl~-的存在将有利于改善TSV深孔镀铜填充效果,提高填充速度。