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《第十九届全国光散射学术会议摘要集》2017年
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Raman Scattering and Photoluminescence Studies for 4H-SiC Thin Films

Yao Li  Dishu Zhao  Honghui Liu  Yingxi Niu  Xiang Lu  Lingyu Wan  Zhe Chuan Feng  
【摘要】:正Silicon carbide,a wide band gap semiconductor with an indirect band structure,is one of the most attractive material owing to its advantage of high breakdown field,high saturated carrier velocity,and excellent thermal

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