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表面氧钝化碳化硅纳米团簇电子结构和光学性质的第一性原理研究

李晓春  吴远彬  曹学伟  王玉芳  
【摘要】:正SiC材料具有独特的结构和众多新颖、优异的物理化学性能,是制作高温、高频、大功率、抗辐射电子器件的最佳材料之一。作为研究下一代固态激光器和传感器的重要材料,对SiC纳米颗粒的性质需要有一个全面的了解。由于实际的环境因素和实验条件的限制,实验制备的碳化硅材料不可避免的会被氧元素钝化,因此,研究表面氧钝化后的SiC纳米团簇的电子结构和光学性质对将来SiC材料的进一步实际应用是十分有必要的。本文基于第一性原理方法,研究4H-SiC团簇在氧钝化情形

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