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《第十五届全国光散射学术会议论文摘要集》2009年
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ZnO纳米晶的拉曼光谱

吴尝  朱克荣  周广东  
【摘要】:正氧化锌(ZnO)是重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体氧化物,室温下禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV,远高于GaN的激子束缚能,强激子束缚能有利于获得有效的激子复合,是一种适用于室温或更高温度下的紫外光发射材料。自从纳米结构ZnO在室温下受激辐射现象被发现,它在短波光电器件领域,如紫外发光二极管以及紫外传感器等方面显示出巨大的应用潜力。

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【参考文献】
中国期刊全文数据库 前1条
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【共引文献】
中国期刊全文数据库 前4条
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2 吴尝;朱克荣;马永青;;固相法制备ZnO纳米晶的变温拉曼光谱[J];阜阳师范学院学报(自然科学版);2011年02期
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4 吴尝;朱克荣;马永青;;固相反应法制备ZnO纳米晶的变温拉曼光谱[J];合肥工业大学学报(自然科学版);2011年07期
中国博士学位论文全文数据库 前2条
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2 张素芳;常压碱液条件下ZnO晶体的生长、机理及其表征[D];山东大学;2010年
中国硕士学位论文全文数据库 前1条
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【二级参考文献】
中国期刊全文数据库 前1条
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【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
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中国重要报纸全文数据库 前1条
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中国硕士学位论文全文数据库 前10条
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7 朱绍平;Sb掺杂ZnO薄膜的制备及光学性能研究[D];重庆师范大学;2010年
8 蒋志昂;磁控溅射制备ZnO透明导电薄膜的研究[D];兰州大学;2010年
9 李爽;ZnO薄膜的制备及其光学性质的研究[D];山东建筑大学;2010年
10 张瑞捷;硅基ZnO系薄膜及其发光器件[D];浙江大学;2010年
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