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《中国物理学会光散射专业委员会成立十周年暨第六届学术会议论文集(上)》1991年
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RF溅射的SiO_2薄膜、SiO_2/AL SiO_2薄膜的喇曼散射研究

徐知三  邓玲  王小华  
【摘要】:正一、引言Al/SiO_2的界面结构决定着金属—氧化物—半导体即MOS器件的电磁性能,直接影响着集成电路的稳定性,因此引起了从事分析工作人们的广泛关注。七十年代末到八十年代中期,Y.E.Strausser、E.J.Scheibner等、L.J.Brillson等。
【作者单位】:武汉大学分析测试中心
【分类号】:O484.4

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