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《第八届全国X射线衍射学术会议论文集》2003年
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低温生长的Ge/Si超晶格界面结构的X射线散射研究

吴小山  谭伟石  杨立  黄秀清  蒋树声  吴忠华  丁永凡  曾鸿祥  
【摘要】:正纳米结构的 Ge/Si 超晶格或 SiGe 合金由于其优异的光电特性近年来受到人们的青睐。高温下(500-700℃)用 Stranski-Krastanov 方法生长的三维 Ge 团簇结构(或纳米结构,3D-Ge hut)通常出现在 Ge 层的上方。然而,近年来,低温下生长了 Ge/Si 超晶格未观测到在 Ge 湿层上的突起(“hut”)结构。本文报道了 X 射线镜面反射和漫散射的研究结果。

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