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多量子阱中增益饱和及载流子复合效应对阈值特性影响

张晓霞  潘炜  罗斌  吕鸿昌  陈建国  
【摘要】:正半导体超晶格结构材料、器件和物理的研究已成为半导体科学技术中极其重要的前沿领域,量子阱激光器具有较低的阈值、较高的量子效率、极好的温度特性和极窄的谱线宽度,因此是获得大功率输出的最佳器件,可以肯定超晶格量子阱材料必将是21世纪光电子器件和技术发展的重要基础.本文针对多量子阱激光器的结构特点,由于阶梯型结构中态密度是常数而不是从零开始按抛物线逐渐增大,因此它具有更高的微分增益和小的透明电流,光增益与载流子浓度的关系,不同于体材料中线性关系,采用对数关系更

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