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《第七届全国电加工学术年会论文集》1993年
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扫描电子束在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜(SOI)的实验研究——电子束对材料改性研究之二

林世昌  张燕生  张国炳  王阳元  
【摘要】:在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜,印SOI(Silicon on Insulator)技术,是一项近年发展起来研制三维集成电路的新技术。本文讨论了利用扫描电子束对沉积在SiO2上的多晶硅薄膜进行改性的实验, 采用籽晶液相横向外廷形成单晶硅薄膜。本实验的重点在于摸索电子束的功率密度、扫描速度、衬底温度和样品结构组成率等因素对形成单晶硅薄膜质量的影响。实验取得了较好的结果,获得了200×25μ2 的单晶区。

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