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《第十五届全国量子光学学术报告会报告摘要集》2012年
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一种实现极性冷分子静电表面囚禁的1D或2D静电晶格方案

顾振兴  印建平  
【摘要】:正为了满足极性冷分子量子计算与量子信息处理的需要,本文提出并设计了一种用于芯片表面实现极性冷分子静电囚禁的1D或2D静电晶格方案,其中二维静电晶格包含了81个微阱,晶格密度约为600个/mm2。我们计算了1D或2D载荷网格的静电场及其电场梯度的空间分布,提出了有效装载冷分子的新方案,并采用Monte-Carlo方法模拟了ND3冷分子装载的动力学过程。研究发现:最高装载效率可达18%。
【作者单位】:华东师范大学精密光谱科学与技术国家重点实验室
【分类号】:O561;O431.2

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