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《华东三省一市第三届真空学术交流会论文集》2000年
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用电子束反应蒸镀法制备的ZnO单晶薄膜的结构和光学特性

吴惠桢  徐晓玲  邱东江  何克明  寿翔  
【摘要】:利用电子束反应蒸镀技术在Si(OO1)衬底上低温外延生长了ZnO单晶薄膜。生长温度从125℃到420℃。最佳生长温度为200℃-300℃X射线衍射(XRD)分析显示ZnO薄膜具有高度c-轴取同,其衍射峰线宽比磁控溅射所得ZnO薄膜的线宽要小。结合光荧光谱(PL)和光荧光激发谱(PLE)的测量,观测到在ZnO薄膜中存在带边吸收和激子吸收。XRD和PLE分析还表明,虽然反应气氛中充O_2对ZnO薄膜晶体结构的影响不明显,但能显著改善薄膜的光学性能。本文还对高质量ZnO薄膜低温外延生长的机制进行了讨论。

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