非均质量子点结构弹性场分析的微扰理论

【摘要】：本文通过引入比较材料,采用微扰方法研究了非均质量子点结构因晶格失配或热失配等因素引起的弹性场。该方法摒弃了原有解析法分析量子点应变松驰问题所惯用的各向同性假设和等模量假设。对Ge/Si量子点结构的数值计算表明,量子点结构的各向异性以及基体与量子点模量间的差异对量子点结构的弹性场有显著影响,如金字塔型量子点结构中间区域应变值的差异可达到30%。另外,对Ge/Si量子点结构,二阶近似就可以得到较高的精度,表明了本方法对此类量子点结构弹性场分析的有效性。