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《第二届全国核技术及应用研究学术研讨会大会论文摘要集》2009年
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电子束蒸发制备Si_(0.95)Co_(0.05)稀磁半导体薄膜

赵庆旺  程亮  叶舟  马亚军  艾志伟  阮学锋  周忠坡  吴昊  郭立平  
【摘要】:用放电等离子体烧结技术(SPS)制备Si:Co靶,并用电子束蒸发技术制备了Si:Co稀磁半导体薄膜。薄膜分别在200oC、300oC、400oC下退火10分钟,利用交变梯度磁强计分别测量退火前后各组样品的磁性,结果显示,在300oC下退火的样品磁性最强,200oC下退火的磁性次之,未退火的磁性最弱。实验中还对样品进行了XRD测量,结果表明样品为非晶态。实验说明,电子束蒸发是制备硅基稀磁半导体的有效方法。

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