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《第九届全国正电子谱学会议论文集》2005年
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用正电子湮没方法鉴别GaSb半导体中的缺陷

王柱  胡卫国  苏本法  邵云东  王少阶  赵有文  
【摘要】:正 利用正电子湮没谱学方法系统地研究了掺Zn,掺Te、未掺杂的原生和辐照GaSb样品的缺陷结构。正电子寿命实验表明在上述原生样品中存在单空位型缺陷。进一步采用符合多普勒展宽谱仪测试了上述的GaSb样品以及纯Sb、纯Ga晶体。通过商谱曲线发现:在本征样品中存在的空位型缺陷主要为镓空位。同时本征材料中也存在镓反位,这可能是本征样品呈p型导电的原因.在掺Te的GaSb中不存在Te-缺陷复合体。正电子寿命研究表明,在我们研究的浓度范围内,VGa浓度随掺Te浓度的增加而增加。在掺Zn的GaSb中,掺Zn的GaSb的谱线和Ga/Sb的谱线存在显著差异,这说明在掺Zn的GaSb中存在Zn-缺陷的复

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