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《第九届全国正电子谱学会议论文集》2005年
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快中子辐照直拉硅中的空位型缺陷研究

刘丽丽  杨帅  陈贵锋  潘梦宵  马巧云  李养贤  王宝义  
【摘要】:采用正电子湮没(PAT)技术和傅立叶红外变换(FTIR)技术研究了高剂量(5×1017n·cm-3)快中子辐照直拉硅中的辐照损伤及其退火效应。实验表明辐照样品中存在着大量的单空位缺陷以及少量的双空位、四空位缺陷,随着退火温度的升高,单空位型缺陷(VO)消失。PAT结果显示,在200-450℃退火时,单空位型缺陷急剧减少。由FTIR吸收谱可以看到,随着829 cm-1(VO)吸收峰的消失出现824 cm-1(V2O2)、834 cm-1(V3O2)、888 cm-1(VO2)和840cm-1(V2O)四个吸收峰。另外,在919.6 cm-1处也有缺陷复合体的吸收峰出现。多普勒展宽谱也说明450℃退火时缺陷开始明显减少,800℃退火时,缺陷浓度最低。

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