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核分析技术在新型光电材料Ⅲ族氮化物研究中的新应用

姚淑德  侯利娜  周生强  马宏骥  吴名枋  
【摘要】:正 氮化镓(GaN)及其三元化合物半导体(AlGaN、InGaN等)是近些年迅速发展的新型光电材料,正广泛应用在全波段发光器件、短波长激光器及紫外探测器等领域,但是迄今人们对其结构特征及对物理性质的影响研究的很不充分:在三元化合物半导体中,Al或In的确切组分是至关重要的,直接影响半导体的性质,但是却没有可靠的测试和表征方法;Ⅲ族氮化物外延膜和衬底之间存在较大的晶

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