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《第八届全国核物理会议文摘集(下册)》1991年
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MeV离子背散射沟道技术在GaP(■)表面原子结构及辐射损伤研究的应用(摘要)

李向阳  承焕生  杨福家  
【摘要】:正本文报导了在超高真空(UHV)条件下,利用 MeV 离子背散射沟道技术对 GaP■表面原子结构及辐射损伤的研究方法和有关结论。由于沟道谱中的表面峰对晶体表面的原子结构极为灵敏,所以这一技术已广泛地应用于单晶表面原子结构的研究中。

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