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《第八届全国核物理会议文摘集(下册)》1991年
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硅的中子辐射损伤研究

朱升云  李安利  黄汉臣  李东宏  郑胜男  岩田忠夫  
【摘要】:正本工作采用正电子湮没方法研究了中子辐照单品硅的辐射损伤,辐射损伤的退火效应及与辐照中子剂量的关系。样品是掺磷 N 型、沿(111)方向切割的10×10×1mm 硅片。中子辐照在日本原子能研究所 JRR-2堆上进行,中子剂量为10~(17)n/cm~2和10~(20)n/cm~2。样品在氮气保护下退火。退火前和在每个温度退火后在室温下进行正电子湮没寿命测量。正电子湮没寿命谱用双成

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