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《第十届中国科协年会环境保护与生态文明建设论坛论文集》 2008年
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高压变频器中IGBT的失效分析及其保护

刘红星  
【摘要】:绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动简单和快速的优点,又具有双极型器件容量大的优点,因而,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。本文通过对IGBT工作原理的分析,提出IGBT可能失效的原因及其决定IGBT可靠性的主要因素。从对决定IGBT可靠性的主要因素分析入手,研究其可能损坏的不同原因,经过具体分析,针对不同情况:过压,过流,过热等,分别采取相应措施对其进行保护,改善其工作机理,以保证其安全可靠工作。

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