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《第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集》2009年
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SRAM FPGA单粒子和总剂量辐射效应试验研究

于庆奎  张大宇  张海明  唐民  文亮  施蕾  
【摘要】:针对空间应用日益增多,研究了SRAM FPGA考虑辐射效应。以典型100万门SRAMFPGA为样品,进行了单粒子效应和电离总剂量效应辐照试验研究。单粒子试验结果是:试验用粒子最小LET为1.66 MeV.cm~2/mg,出现SEU;LET为4.17MeV.cm~2/mg,出现SEFI,通过重新配置,样品功能恢复正常;LET在1.66MeV.cm~2/mg~64.8MeV.cm~2/mg范围内,未出现SEL;试验发现,随SEU数量的累积,样品功耗电流会随之增加,对样品进行重新配置,电流恢复正常。电离总剂量辐照试验结果是:辐照累积总剂量75 krad(Si)时,2只样品功能正常,功耗电流未见明显变化。辐照到87 krad(Si),样品出现功能失效。试验数据表明SRAM FPGA属于SEU敏感的器件,且存在SEFI。SEU和SEFI会破坏器件功能,导致系统故障。SRAM FPGA空间应用必须进行抗单粒子加固设计,推荐的加固方法是TMR配合定时重新配置(Scrubbing)。关键部位如控制系统慎用SRAM FPGA。
【作者单位】:中国空间技术研究院 北京控制工程研究所
【分类号】:TN791

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【参考文献】
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【共引文献】
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