超深亚微米SRAM和Flash存储器的辐射效应

【摘要】：针对超深亚微米器件航天应用日益增多的情况,以超深亚微米SRAM和Flash存储器为对象,分析了超深亚微米器件的辐射效应规律特点。超深亚微米器件一般具有天然抗总剂量辐射能力,但若接口电路工作电压或编程电压高,则辐射敏感;超深亚微米器件由于特征尺寸减少,单粒子效应敏感,核反应可导致单粒子事件,另外,已有的单粒子预计模型已不完全适用。

【作者单位】：中国空间技术研究院电子元器件可靠性中心
【分类号】：TP333

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