两种改进边缘效应的全耗尽MOSFET器件的制备及对辐射的影响
【摘要】：采用硅岛隔离和经过辐照过的LOCOS隔离制备的SOI MOSFET器件通常都会出现边缘效应,即会出现亚阈值斜率的"隆起"(HUMP)效应。针对产生边缘效应产生的不同原因,我们分别采取了圆角化工艺和类BTS结构来改进辐照前后的MOSFET器件,试验证明,这些改进减小甚至消除了边缘效应的产生,成功制备了合乎要求的器件。
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