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《第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集》2009年
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铁电存储器总剂量辐射效应初探

牛振红  崔帅  张力  刘生东  刘洪艳  
【摘要】:存储器作为电子系统必不可少的重要组成部分,是电子系统程存储和数据存储的主要载体,本文主要对新型存储器铁电存储器(FRAM)总剂量电离辐射效应进行了初步研究,并与目前应用较多的典型半导体存储器辐射效应进行了比较,获得了FRAM比传统半导体存储器具有更好抗总剂量辐射能力的结果。
【作者单位】:试验物理与计算数学实验室
【分类号】:TP333

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【参考文献】
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【共引文献】
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【二级参考文献】
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