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激光熔蚀反应淀积AlN薄膜残余应力及热稳定性的研究

汪洪海  郑启光  丘军林  熊贵光  田德成  
【摘要】:激光熔蚀反应淀积于Si(100),Si(111)基底上的AlN薄膜是高质量高取向性的AlN多晶膜,薄膜与基底的取向关系为AlN(100)∥Si(100),AlN(110)∥Si(111)。薄膜具有较低的残余应力和较好的热稳定性。实验结果表明,当氮气压强和放电电压分别为100×133.33Pa和650V时,薄膜的残余应力低于3GPa。此样品在纯氧环境500℃时,经过3h的退火,红外吸收谱检测未发现有Al_2O_3特征峰出现。对AlN/Cu双层膜的研究表明所制备的AlN薄膜在金属薄膜的防护上也有潜在的应用价值。

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