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《贵州省自然科学优秀学术论文集》2005年
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用量子受限模型分析硅氧化层中的锗低维纳米结构(英文)

黄伟其  刘世荣  
【摘要】:采用氧化和析出的方法在氧化硅中凝聚生成锗纳米晶体量子点结构。其形成的锗晶体团簇没有突出的棱角和支晶结构,锗晶体团簇的轮廓较圆混,故可以用球形量子点模型来模拟实际的锗晶体团簇。对比了在高温(800 ℃~1000℃)条件下和在低温(200℃~500℃)用激光照射条件下所生成的锗纳米晶体结构的PL光谱和对应的锗纳米晶体团簇的尺寸分布。低温用激光照射条件下所生成的锗纳米晶体较小,其PL光谱出现蓝移。用量子点受限模型计算了锗纳米晶体团簇的能隙结构,用Monte Carlo方法模拟了PL光谱和对应的锗纳米晶体团簇的尺寸分布, 分别与实验结果吻合较好。

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