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《2011中国功能材料科技与产业高层论坛论文集(第三卷)》2011年
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Mn和Mn-Cd掺杂GaN物性的第一性原理研究

王爱玲  毋志民  
【摘要】:采用基于密度泛函理论的第一性原理超软赝势方法,在局域密度泛函近似下,计算了Mn和Mn-Cd掺杂纤锌矿GaN的电子结构、光学和磁学等性质。结果表明:掺杂后体系均在能隙深处产生自旋极化杂质带,表现为半金属性,适于自旋注入,与Mn掺杂GaN比较,Cd共掺后半金属稳定性减弱,但居里温度升高,空穴浓度增大,材料的导电性得到改善。通过分析GaN晶体在掺杂前后的介电函数和复折射率函数,解释了体系的发光机理。

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【参考文献】
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【二级参考文献】
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