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《第七届中国功能材料及其应用学术会议论文集(第7分册)》2010年
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具有Y型连接对称SiC双纳米线的形成机理

伍翠兰  廖小舟  陈江华  
【摘要】:采用透射电镜研究具有Y型连接对称SiC双纳米线(BNW)的形成机理。研究结果表明SiC双纳米线的形成机理与以前报道的不同,即:利用VLS机制生长的两个独立生长的纳米线以某个角度相遇时,纳米线前端的催化剂液体合并后逐渐形成直而对称的双纳米线,而且BNW内的两分枝保持原来的晶体学位相并拥有同一个晶体学生长方向。根据两个初始纳米线相遇角度的不同,SiC双纳米线可分别沿〈110〉,〈112〉,〈113〉方向生长。基于详细研究,我们提出一种新的拥有Y型连接的SiC双纳米线的可控生长模型。双纳米线的直径和微观组织可通过两个SiC纳米向的直径和汇聚角度来控制。

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