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《第七届中国功能材料及其应用学术会议论文集(第6分册)》2010年
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超临界CO_2微乳液对高浓度离子注入光刻胶的清洗

韩婷婷  李波  李玉香  王卿璞  
【摘要】:采用新型超临界CO_2清洗技术去除芯片表面的光刻胶,克服了半导体传统清洗工艺中的困难。研究了温度和时间对清洗效果的影响,分析了压力和表面活性剂对去除光刻胶的影响程度。结果表明,温度和反应时间直接影响着光刻胶的去除率,压力和表面活性剂对去除碳化的光刻胶有非常重要的作用。

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【参考文献】
中国期刊全文数据库 前1条
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【共引文献】
中国期刊全文数据库 前7条
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中国博士学位论文全文数据库 前2条
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中国硕士学位论文全文数据库 前6条
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【二级参考文献】
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【相似文献】
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中国博士学位论文全文数据库 前10条
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