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《第七届中国功能材料及其应用学术会议论文集(第6分册)》2010年
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Ta缓冲层对超薄NiCo薄膜微结构和磁电特性的影响

王国松  张珊珊  甄营  董巧燕  姜宏伟  
【摘要】:采用磁控溅射方法制备了NiCo和Ta/NiCo薄膜样品,研究了Ta缓冲层对不同厚度NiCo薄膜微结构和磁电特性的影响。X射线衍射(XRD)结果表明,当NiCo厚度15nm时,有Ta缓冲层的NiCo薄膜出现了较明显的面心立方的(111)织构,而没Ta缓冲层的NiCo薄膜没有出现(111)结构,但是两个系列的薄膜都出现了微弱的(200)结构。通过原子力显微镜(AFM)观察到有Ta缓冲层的薄膜表面比较光滑。振动样品磁强计(VSM)的测量结果显示,两个系列的薄膜样品均出现了面内磁各向异性。各向异性磁电阻(AMR)的测量结果表明,Ta缓冲层可以提高薄膜的各向异性磁电阻值。

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