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《第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(10)》2007年
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Mg_2Si电子结构及光学性质的研究

陈茜  谢泉  闫万珺  杨创华  赵凤娟  
【摘要】:采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了 Mg_2Si 基态的电子结构、态密度和光学性质.计算结果表明 Mg_2Si 属于间接带隙半导体,禁带宽度为 0.2994eV;其价带主要由 Si 的3p 以及 Mg 的3s、3p 态电子构成,导带主要由 Mg 的3s、3p 以及 Si 的3p 态电子构成;静态介电常数ε_1(0)=18.89;折射率 n_0= 4.3460;吸收系数最大峰值为356474.5cm~(-1);并利用计算的能带结构和态密度分析了 Mg_2Si 的介电函数、折射率、反射率、吸收系数、光电导率和能量损失函数的计算结果,为 Mg_2Si 的设计与应用提供了理论依据.

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10 张飒;程璇;张颖;;铁电陶瓷裂纹尖端畴变的原位Raman观测[A];第十届全国青年材料科学技术研讨会论文集(C辑)[C];2005年
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4 杨创华;谢泉;赵凤娟;陈茜;肖清泉;;Ca_2Si电子结构和光学性质的研究[A];第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(10)[C];2007年
5 王爱玲;毋志民;;Mn和Mn-Cd掺杂GaN物性的第一性原理研究[A];2011中国功能材料科技与产业高层论坛论文集(第三卷)[C];2011年
6 孙喜莲;徐学科;邵建达;;铬过渡层对银膜的微结构、光学性质及附着力的影响[A];上海市激光学会2005年学术年会论文集[C];2005年
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