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《第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集（10）》2007年
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Mg_2Si电子结构及光学性质的研究

陈茜  谢泉  闫万珺  杨创华  赵凤娟  
【摘要】：采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了 Mg_2Si 基态的电子结构、态密度和光学性质．计算结果表明 Mg_2Si 属于间接带隙半导体,禁带宽度为 0．2994eV；其价带主要由 Si 的3p 以及 Mg 的3s、3p 态电子构成,导带主要由 Mg 的3s、3p 以及 Si 的3p 态电子构成；静态介电常数ε_1(0)=18．89；折射率 n_0= 4．3460；吸收系数最大峰值为356474．5cm~(-1)；并利用计算的能带结构和态密度分析了 Mg_2Si 的介电函数、折射率、反射率、吸收系数、光电导率和能量损失函数的计算结果,为 Mg_2Si 的设计与应用提供了理论依据．
【作者单位】：贵州大学新型光电子材料与技术研究所 贵州大学新型光电子材料与技术研究所 贵州大学新型光电子材料与技术研究所 贵州大学新型光电子材料与技术研究所 贵州大学新型光电子材料与技术研究所
【基金】：国家自然科学基金(60566001)
【分类号】：TN304

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