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《第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(10)》2007年
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气相生长硒化镉单晶体的生长速度研究

何知宇  赵北君  朱世富  任锐  温才  叶林森  钟雨航  王立苗  杨慧光  
【摘要】:以晶体生长理论为基础,计算了气相提拉生长 CdSe 晶体时的生长速率.结果表明用提拉法气相生长 CdSe 晶体时,晶体的气相生长速率将会随着时间的延长以指数关系快速的趋近于提拉速度,以后不再变化.由此,在选定温场的前提下,对 CdSe 单晶体的气相生长速度进行了优化,确定了3mm/d 的生长速度, 得到了平界面生长的尺寸为φ20mm×30mm,电阻率高达10~9Ω·cm,且未观察到深能级陷阱的优质 CdSe 大单晶体.

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【参考文献】
中国期刊全文数据库 前1条
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【共引文献】
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中国博士学位论文全文数据库 前10条
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中国硕士学位论文全文数据库 前10条
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